[发明专利]一种芯片表面金属残留及沾污的清理方法在审
| 申请号： | 201911208796.9 | 申请日： | 2019-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN110931350A | 公开（公告）日： | 2020-03-27 |
| 发明（设计）人： | 高峰;黄勇超;林廷伟 | 申请（专利权）人： | 闳康技术检测（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/683 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 200120 上海市浦东新区中国(上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及芯片分析技术领域，公开了一种芯片表面金属残留及沾污的清理方法，包括如下步骤：S1：将芯片放置在圆晶上；S2：喷上受热挥发的有机试剂；S3：使用胶带覆盖芯片样品；S4：加热至试剂挥发；S5：试剂挥发后撕下胶带；有机试剂可以清洁圆晶与芯片上的杂质，同时还能保护芯片，杜绝清理过程中的静电对芯片的影响，有机试剂可采用乙醇或者四氯化碳等试剂，胶带可以让有机试剂在挥发时不会让杂质移动，能固定杂质的位置，不会再次碰到芯片，有效清洁样品表面，更容易寻找到失效点，提高FA成功率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 表面 金属 残留 沾污 清理 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
