[发明专利]一种基于二氧化锰纳米线的电致变色器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201911210956.3 | 申请日： | 2019-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN110794633B | 公开（公告）日： | 2022-07-12 |
| 发明（设计）人： | 王金敏;于红玉;马董云;祝向荣 | 申请（专利权）人： | 上海第二工业大学 |
| 主分类号： | G02F1/1524 | 分类号： | G02F1/1524;G02F1/153;G02F1/155 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 王洁平 |
| 地址： | 201209 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于二氧化锰纳米线的电致变色器件及其制备方法。本发明的电致变色器件包括二氧化锰纳米线结构薄膜电极；其中二氧化锰纳米线结构薄膜电极由FTO导电玻璃和二氧化锰纳米线结构薄膜构成。和现有技术相比，本发明采用无晶种层辅助一步水热法制备二氧化锰纳米线结构薄膜电极，并将其组装成电致变色器件，制作工艺简单，易于操作，所需试剂种类极少，成本低，制备的二氧化锰纳米线结构薄膜电极所组成器件电致变色性能较好，有利于推动纳米二氧化锰在电致变色领域的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 二氧化锰 纳米 变色 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于二氧化锰纳米线的电致变色器件，其特征在于，其包括二氧化锰纳米线结构薄膜电极；所述二氧化锰纳米线结构薄膜电极由FTO导电玻璃和二氧化锰纳米线结构薄膜构成，所述二氧化锰纳米线结构薄膜呈纳米线结构，或者呈由纳米线自编织而成的网状结构。/n
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