[发明专利]一种界面耦合增强的层状磁电复合陶瓷及其制备方法在审
| 申请号： | 201911211393.X | 申请日： | 2019-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN110981466A | 公开（公告）日： | 2020-04-10 |
| 发明（设计）人： | 刘胜;颜铄清;邹鸿翔;贺君 | 申请（专利权）人： | 湖南工程学院 |
| 主分类号： | C04B35/475 | 分类号： | C04B35/475;C04B35/32;C04B35/34;C04B35/28;C04B35/622;C04B35/64 |
| 代理公司： | 长沙星耀专利事务所(普通合伙) 43205 | 代理人： | 宁星耀;舒欣 |
| 地址： | 411104 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： |
一种界面耦合增强的层状磁电复合陶瓷及其制备方法，该层状磁电复合陶瓷由改性Bi |
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| 搜索关键词： | 一种 界面 耦合 增强 层状 磁电 复合 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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