[发明专利]半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201911211799.8 | 申请日： | 2019-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN111261631B | 公开（公告）日： | 2022-12-13 |
| 发明（设计）人： | 薛长荣;颜晨恩;康金玮;詹凯钧;林威宏;林政仁;郑明达;陈清晖;李明机 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 形成半导体器件的方法包括在衬底上沉积多个层，图案化位于多个层上面的第一掩模，以及使用第一掩模对多个层实施第一蚀刻工艺。该方法还包括沿着第一掩模的侧壁和多个层的侧壁形成聚合物材料，以及去除聚合物材料。该方法还包括使用剩余的第一掩模对多个层实施第二蚀刻工艺，其中，在第二蚀刻工艺终止之后，多个层的组合侧壁轮廓包括第一部分和第二部分，并且第一部分的第一角度和第二部分的第二角度彼此不同。本发明的实施例还涉及半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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