[发明专利]基于碳化硅材料的压阻式加速度传感器的制造方法有效
| 申请号： | 201911212178.1 | 申请日： | 2019-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN110780090B | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 徐天彤;陶智;李海旺;翟彦欣;桂英轩;曹晓达 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | G01P15/12 | 分类号： | G01P15/12;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京汇捷知识产权代理事务所(普通合伙) 11531 | 代理人： | 于鹏 |
| 地址： | 100191*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种基于碳化硅材料的压阻式加速度传感器，基于压阻效应，采用双悬臂梁设计，将电阻随应力变化的电阻条及线路布置位置设计，形成惠通斯电桥。敏感元件基材为碳化硅，电阻为通过掺杂的碳化硅材料，表面走线材料为金。且提出整个器件的封装设计，包括用作限位的玻璃上盖和底部硅基管壳，及陶瓷管壳封装。采用硅加工工艺，得到的硅基内部管壳衬底，可提供精准的振动裕度与保护限位。通过金丝球焊工艺，将传感器芯片的四个pad的输入与输出信号引到金属管壳的侧边四个金属管脚上，采用50微米金线信号传输，保证信号传输的稳定性与芯片的高温安全性。本公开还提供了一种基于碳化硅材料的压阻式加速度传感器的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 碳化硅 材料 压阻式 加速度 传感器 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于碳化硅材料的压阻式加速度传感器，其特征在于，所述压阻式加速度传感器包括：敏感元件基材、电阻以及表面走线材料；所述敏感元件基材为碳化硅，所述电阻为通过预设阈值程度掺杂的碳化硅材料构成的元器件，所述表面走线材料为金。/n
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