[发明专利]半导体装置的形成方法在审
| 申请号： | 201911212353.7 | 申请日： | 2019-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN111261524A | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 李隽毅;陈亭纲;王捷平;柯宏宪;林嘉慧;黄泰钧 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 韩旭;黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开涉及一种半导体装置的形成方法。该方法包括蚀刻栅极结构以形成沟槽延伸至栅极结构中，其中沟槽的侧壁包括金属氧化物材料；对沟槽的侧壁进行侧壁处理制程，其中侧壁处理制程的结果为移除金属氧化物材料；以及将第一介电材料填入沟槽以形成介电区，其中介电区接触栅极结构的侧壁。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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