[发明专利]半导体光刻工艺的方法有效
| 申请号： | 201911213591.X | 申请日： | 2019-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN112987516B | 公开（公告）日： | 2023-01-24 |
| 发明（设计）人： | 孙彪 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | G03F9/00 | 分类号： | G03F9/00;G03F7/20;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;高德志 |
| 地址： | 230001 安徽省合肥市蜀山*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 一种半导体光刻工艺的方法，在获取一批晶圆中的每一片晶圆的套刻误差值后，判断所述套刻误差值是否均在合理范围内；若所述套刻误差值均在所述合理范围内，则将所述套刻误差值的平均值上传至生产控制系统，所述生产控制系统将所述平均值用于下一批晶圆的套刻误差的补偿值；若所述套刻误差值中有不在所述合理范围内的，则不在合理范围内的套刻误差值所对应的特定晶圆需要重工，将所述特定晶圆的套刻误差值上传至生产控制系统，所述生产控制系统将所述特定晶圆的套刻误差值用于所述特定晶圆重工时的套刻误差的补偿值。通过前述方法能避免重工晶圆的补偿值被平均化，从而使得重工晶圆得到最佳补偿，使得套刻精度满足要求，并且前述方法操作简单。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 光刻 工艺 方法 | ||
【主权项】：
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