[发明专利]一种III族氮化物半导体雪崩光电探测器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种III族氮化物半导体雪崩光电探测器及其制备方法，包括有源层，所述有源层按自下而上的生长顺序，依次包括重掺杂n型AlxGa1‑xN欧姆接触层，非故意掺杂AlyGa1‑yN以及p型层；所述的p型层自上而下包括较高掺杂浓度的p型AlyGa1‑yN层和较低掺杂浓度的p型AlyGa1‑yN层，所述较低掺杂浓度的p型AlyGa1‑yN层呈中央薄边缘厚的凹型结构，所述较高掺杂浓度的p型AlyGa1‑yN层呈与所述较低掺杂浓度的p型AlyGa1‑yN层相匹配的中央厚边缘薄的凸型结构。与现有技术相比，所述p型层能将高电场限制在台型器件中央，在台型结构的边缘，电场强度被降低，解决了因边缘电场过高而导致的提前击穿问题，同时具有降低表面复合电流、提高器件工作可靠性的效果。