[发明专利]一种具有超薄铝铟氮插入层的紫外发光二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 201911214633.1 | 申请日： | 2019-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN110752279A | 公开（公告）日： | 2020-02-04 |
| 发明（设计）人： | 贺龙飞;赵维;张康;何晨光;吴华龙;刘宁炀;陈志涛 | 申请（专利权）人： | 广东省半导体产业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/32;H01L33/14;H01L33/06 |
| 代理公司： | 11463 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人： | 周宇 |
| 地址： | 510000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种具有超薄铝铟氮插入层的紫外发光二极管及其制备方法，涉及半导体技术领域。所述紫外发光二极管包括衬底和在所述衬底上依次生长的低温缓冲层、高温层、n型AlGaN层、发光有源区、插入层、p型AlGaN电子阻挡层、p型AlGaN层和接触层，其中，所述插入层采用铝铟氮制成。所述紫外发光二极管能够尽可能阻挡电子向P层扩散，并保证空穴能够高效注入量子阱，提高器件的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 紫外发光二极管 插入层 铝铟氮 衬底 半导体技术领域 空穴 低温缓冲层 发光有源区 发光效率 高温层 接触层 量子阱 制备 阻挡 扩散 生长 保证 | ||
【主权项】：
1.一种具有超薄铝铟氮插入层的紫外发光二极管，其特征在于，所述紫外发光二极管包括衬底(100)和在所述衬底(100)上依次生长的低温缓冲层(120)、高温层(130)、n型AlGaN层(140)、发光有源区(150)、插入层(160)、p型AlGaN电子阻挡层(170)、p型AlGaN层(180)和接触层(190)，其中，所述插入层(160)采用铝铟氮制成。/n
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