[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201911215889.4 | 申请日： | 2019-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN112993152A | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 周鸣 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01L43/08;H01L43/10 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 吴凡 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；在所述基底上形成底铁磁结构；在所述底铁磁结构上形成隧穿势垒层，形成所述隧穿势垒层的步骤包括：形成界面层和非磁绝缘层；在所述隧穿势垒层上形成顶铁磁结构。本发明实施例通常所述非磁绝缘层形成在所述界面层上，所述界面层能够为形成非磁绝缘层提供良好的界面态，使得形成的非磁绝缘层中单晶态的金属氧化物的含量较高，使得底铁磁结构、隧穿势垒层以及顶铁磁结构形成的磁隧道结的隧道磁阻效应较强，有利于提高半导体结构的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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