[发明专利]一种双层高分子基电响应形状记忆材料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201911217286.8 申请日: 2019-12-02
公开(公告)号: CN111516338B 公开(公告)日: 2022-04-19
发明(设计)人: 郑宇;杨丽华;郭少云 申请(专利权)人: 四川大学
主分类号: B32B27/20 分类号: B32B27/20;B32B37/06;B32B37/10;B32B27/40;B32B27/28;B32B27/08;H01B1/16;H01B1/18;H01B1/22;H01B1/24;C08L75/04;C08L67/04;C08K3/04
代理公司: 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 代理人: 王婷婷
地址: 610065 四川*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种双层高分子基电响应形状记忆材料及其制备方法,该材料是由作为固定相的热塑性高分子弹性体和作为可逆相的结晶或无定型高分子材料层叠热压制得的双层复合物,其中一相物料掺杂导电粒子或两相物料同时掺杂导电粒子。当施加电压刺激时,导电粒子产生的电热效应使材料温度升高,可逆相高分子材料分子链被解冻,进而实现电响应形状回复。本发明提供的制备方法所制得的高分子基电形状记忆材料可以通过调节电压大小,导电粒子种类、含量及分布方式,固定相与可逆相层厚比等方式实现形状回复速度和形状回复率的灵活调控;所需原料均为市售,生产成本低;制备方法工艺简单,生产效率高并可以连续批量生产。
搜索关键词: 一种 双层 高分子 响应 形状 记忆 材料 及其 制备 方法
【主权项】:
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