[发明专利]图像传感器在审
| 申请号： | 201911217472.1 | 申请日： | 2019-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN111627942A | 公开（公告）日： | 2020-09-04 |
| 发明（设计）人： | 金振均 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H04N5/374 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 李敬文 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种图像传感器包括：第一导电类型的半导体基板，具有第一和第二表面并包括像素区域；分别设置在像素区域中的第二导电类型的光电转换区域；以及设置在半导体基板中以限定像素区域的像素隔离结构，该像素隔离结构围绕每个光电转换区域。像素隔离结构包括从半导体基板的第一表面延伸到第二表面的半导体图案、在半导体图案的侧壁和半导体基板之间的侧壁绝缘图案、以及半导体图案的至少一部分中的掺杂剂区域。 | ||
| 搜索关键词： | 图像传感器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
