[发明专利]基于交叠耦合板的隧穿场效应器件及制作方法在审

专利信息
申请号: 201911217899.1 申请日: 2019-12-03
公开(公告)号: CN111063738A 公开(公告)日: 2020-04-24
发明(设计)人: 毛维;何元浩;高北鸾;杜鸣;马佩军;张进成;郝跃 申请(专利权)人: 西安电子科技大学
主分类号: H01L29/78 分类号: H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;H01L29/06
代理公司: 陕西电子工业专利中心 61205 代理人: 王品华
地址: 710071*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种基于交叠耦合板的隧穿场效应器件,主要解决现有器件存在的随机杂质涨落及双极关态漏电的问题,其自下而上包括:衬底(1)、GaN基缓冲层(2)、P型InxGa1‑xN渐变极化层(3),该渐变极化层(3)的右上部设有N型InyGa1‑yN渐变极化层(4),其两侧刻蚀有下台阶(5),该下台阶的左右侧上分别设有源极(7)和漏极(6);两个渐变极化层(3)和(4)的上部设有栅介质层(8);该栅介质层上从左向右依次设有调制栅(10)、栅极(9)和交叠板(11)以及交叠耦合板(12),它们的上部均覆盖有钝化层(13),本发明避免了随机杂质涨落,减小了双极关态漏电,可用于低功耗电子系统。
搜索关键词: 基于 交叠 耦合 场效应 器件 制作方法
【主权项】:
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