[发明专利]多级耦合栅隧穿场效应晶体管及制作方法有效
| 申请号： | 201911217900.0 | 申请日： | 2019-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN111063735B | 公开（公告）日： | 2021-07-06 |
| 发明（设计）人： | 毛维;何元浩;高北鸾;彭紫玲;杜鸣;马佩军;张进成;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/08;H01L29/10;H01L21/331 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 多级耦合栅隧穿场效应晶体管及制作方法。本发明公开了一种多级耦合栅隧穿场效应晶体管，主要解决现有隧穿场效应晶体管存在的双极关态漏电的问题，其底部为衬底(1)，衬底(1)的上部自左向右依次设有源区(3)、体区(2)、漏区(4)，漏区(4)的右上部设有漏极(5)，源区(3)的左上部设有源极(6)，体区(2)的上方设有栅介质层(7)，栅介质层(7)的上方设有间隔分布的多级耦合栅(8)，源区(3)、漏区(4)、漏极(5)、源极(6)、栅介质层(7)、多级耦合栅(8)的外围设有钝化层(9)，本发明减小了器件双极关态漏电问题，提升器件开关速度，降低器件功耗，提升了器件的可靠性，可用于低功耗电子系统。 | ||
| 搜索关键词： | 多级 耦合 栅隧穿 场效应 晶体管 制作方法 | ||
【主权项】：
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