[发明专利]隧穿场效应晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 201911217921.2 | 申请日： | 2019-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN110993692B | 公开（公告）日： | 2021-07-06 |
| 发明（设计）人： | 毛维;何元浩;刘晓雨;马佩军;杜鸣;张进成;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/08;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种隧穿场效应晶体管，主要解决现有隧穿场效应晶体管存在的随机杂质涨落问题和双极关态漏电的问题，其自下而上设有衬底(1)、体区(2)和栅介质层(3)，该体区和栅介质层的两侧刻蚀有下台阶(4)，左右两侧下台阶的上方分别淀积有源极(6)和漏极(5)，栅介质层上方自左向右依次设有源极调制板(7)、栅极(8)以及间隔分布的栅极耦合调制板(9)和漏极耦合调制板(10)，该栅介质层、漏极、源极、源极调制板、栅极、栅极耦合调制板和漏极耦合调制板的外围设有钝化层(11)，本发明解决了器件双极关态漏电问题和随机杂质涨落问题，降低了器件功耗，提升了器件开关速度和可靠性，可用于低功耗电子系统。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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