[发明专利]减少碳化硅晶圆弯曲度的方法

摘要

本发明公开了一种减少碳化硅晶圆弯曲度的方法，所述方法包括：在碳化硅晶圆的背面形成第一氧化层；在第一氧化层上形成应力保护层；在碳化硅晶圆的正面上形成刻蚀图形的掩膜；对带有掩膜的碳化硅晶圆进行高温离子注入。本发明通过在碳化硅晶圆的背面依次生长氧化层和多晶硅层，使得在碳化硅晶圆正面完成刻蚀掩膜后，对带有掩膜的碳化硅晶圆进行高温离子注入时，能够在碳化硅晶圆的正面施加压应力来抵消在注入过程中碳化硅晶圆内产生的张应力，从而有效地减少碳化硅晶圆在热过程中的弯曲程度，以降低对后续工艺流程的影响，进而保证了碳化硅器件的可靠性。