[发明专利]一种三端半导体器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201911218758.1 | 申请日： | 2019-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN110993688A | 公开（公告）日： | 2020-04-10 |
| 发明（设计）人： | 李成果;姜南;曾巧玉;任远 | 申请（专利权）人： | 广东省半导体产业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/45;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 刘曾 |
| 地址： | 510000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供了一种三端半导体器件及其制作方法，涉及半导体器件技术领域。所述三端半导体器件包括支撑层、设置在所述支撑层上的异质结、设置在所述异质结上的第一电极、第二电极和栅极；其中，所述第一电极和所述第二电极中至少一个包括：设置在所述异质结上的掺杂层和设置在所述掺杂层上的电极接触层。三端半导体器件能够降低接触电阻、减少器件开关损耗、且不会导致器件提前被击穿。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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