[发明专利]太赫兹焦平面探测器的封装结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201911220415.9 | 申请日： | 2019-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN110911394B | 公开（公告）日： | 2021-11-23 |
| 发明（设计）人： | 秦华;孟占伟;孙建东 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H01L23/31;H01L21/98 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王锋 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种太赫兹焦平面探测器的封装结构及其制作方法。所述封装结构包括太赫兹焦平面探测芯片、CMOS放大电路芯片以及设置于太赫兹焦平面探测芯片和CMOS放大电路芯片之间的绝缘基材，所述绝缘基材内分布有多个导电通道，所述导电通道沿厚度方向贯穿绝缘基材，并将所述太赫兹焦平面探测芯片与CMOS放大电路芯片电连接。本发明实施例中提供的太赫兹焦平面探测器的封装结构中，TCV芯片增大了焦平面芯片与CMOS放大电路芯片的间距，进而提高太赫兹焦平面探测器灵敏度；以及，本发明实施例中的TCV芯片分别与焦平面芯片、CMOS放大电路芯片倒装互联实现3D封装，有利于实现焦平面探测器的小型化、提高焦平面探测器的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 赫兹 平面 探测器 封装 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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