[发明专利]二维氢氧化镉材料、制备方法、生长模板及应用有效
| 申请号： | 201911220938.3 | 申请日： | 2019-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN112897572B | 公开（公告）日： | 2022-05-27 |
| 发明（设计）人： | 吴昊;张阳阳;李江宇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院深圳先进技术研究院 |
| 主分类号： | C01G11/00 | 分类号： | C01G11/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 北京维正专利代理有限公司 11508 | 代理人： | 何星民 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种二维氢氧化镉材料、制备方法、生长模板及应用。二维氢氧化镉材料是氢氧化镉‑脂肪酸二维双层膜，膜的厚度小于等于5nm。制备方法包括如下步骤：制备有机镉盐溶液；提供两相体系溶剂，两相体系溶剂的上层为非极性溶剂层，下层为极性溶剂层；有机镉盐溶液聚集于非极性溶剂与极性溶剂的界面处；蒸发位于上层的所述非极性溶剂层，使有机镉盐随非极性溶剂体积减小而聚集成膜，漂浮于极性溶剂层的液面；将碱性极性溶剂注入下层的温度小于150℃的极性溶剂中，生成二维氢氧化镉双层膜。氢氧化镉‑脂肪酸二维双层膜能用于生长二维硫化镉和硒化镉的生长模板以及电子器件的应用；制备方法简便、高效，易于工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 二维 氢氧化 材料 制备 方法 生长 模板 应用 | ||
【主权项】：
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