[发明专利]一种管式PECVD工艺镀膜时间监测的预警装置在审
申请号: | 201911221899.9 | 申请日: | 2019-12-03 |
公开(公告)号: | CN110846641A | 公开(公告)日: | 2020-02-28 |
发明(设计)人: | 郭丽;赵科巍;张波;张云鹏;吕爱武 | 申请(专利权)人: | 山西潞安太阳能科技有限责任公司 |
主分类号: | C23C16/52 | 分类号: | C23C16/52;C23C16/513 |
代理公司: | 太原市科瑞达专利代理有限公司 14101 | 代理人: | 李富元 |
地址: | 046000 山*** | 国省代码: | 山西;14 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及管式PECVD工艺镀膜领域。一种管式PECVD工艺镀膜时间监测的预警装置,包括厚度传感器、PLC控制模块、报警装置、显示器,厚度传感器安装在镀膜机内部,通过PLC控制模块设置镀膜厚度和镀膜时间。本发明提供了一种管式PECVD工艺镀膜时间的监测装置,有效的做到能实时监测DLV录入值是否在范围之内。这对工艺配方起到了警示防错作用,减少操作员因误操作而造成镀膜时间异常而使产线不合格率上升。 | ||
搜索关键词: | 一种 pecvd 工艺 镀膜 时间 监测 预警 装置 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的