[发明专利]单层有机半导体薄膜的制备方法有效

专利信息
申请号: 201911223049.2 申请日: 2019-12-03
公开(公告)号: CN110943166B 公开(公告)日: 2023-04-18
发明(设计)人: 张秀娟;揭建胜;姜天昊 申请(专利权)人: 苏州大学
主分类号: H10K71/12 分类号: H10K71/12;H10K71/40
代理公司: 北京智汇东方知识产权代理事务所(普通合伙) 11391 代理人: 周礼涛
地址: 215006 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供了一种单层有机半导体薄膜的制备方法,包括以下步骤:将具有烷基支链的小分子有机化合物与所述小分子有机化合物的长链同系物溶解并配置成混合溶液;将所述混合溶液旋涂在第一衬底上,并将旋涂有所述混合溶液的所述第一衬底覆盖在第二衬底上;然后将其放置在真空加热系统中加热处理,以在所述第二衬底上制备出单层有机薄膜。本发明的单层有机半导体薄膜的制备方法,通过在有机分子中引入其相应的长链同系物,利用不同长度分子层间的几何失配以及衬底之间的限域作用可以实现有机半导体薄膜的单层大面积生长。并且在该单层有机半导体薄膜的制备方法中,通过在第二衬底上构筑亲疏水区域可以实现单层有机半导体薄膜的图案化生长。
搜索关键词: 单层 有机半导体 薄膜 制备 方法
【主权项】:
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