[发明专利]薄膜沉积方法在审
| 申请号： | 201911223336.3 | 申请日： | 2019-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN112899616A | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 尹勇 | 申请（专利权）人： | 上海新微技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/50;C23C14/54 |
| 代理公司： | 北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙) 11535 | 代理人： | 刘元霞 |
| 地址： | 201800 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请提供一种薄膜沉积方法，包括：在基片表面沉积第一厚度的薄膜；调整所述基片的位置，使所述基片围绕垂直于所述基片表面的轴线转动第一角度；以及在所述第一厚度的薄膜的表面沉积第二厚度的薄膜。根据本申请，将薄膜的沉积过程分为至少两个阶段，在前后相邻的两个阶段之间转动基片的角度，由此，能够提高薄膜的阻值的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 沉积 方法 | ||
【主权项】：
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