[发明专利]半导体结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201911225101.8 | 申请日： | 2019-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN112909071A | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 吴秉桓 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/423;H01L21/336;H01L23/535 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 史治法 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体结构，包括：基底，基底内形成有若干个间隔排布的有源区；若干个平行间隔排布的栅极结构，位于基底内；位线接触结构，位于基底内；绝缘衬垫层，位于基底内，且位于位线接触结构与栅极结构之间，以将位线接触结构与栅极结构绝缘隔离。使得位线接触结构与栅极结构之间被绝缘衬垫层隔开，两者即使存在交错的部分也不易出现短路或者产生较高的寄生电容，因此位线接触结构能够向有源区深处延伸，而栅极结构内的导电结构能够向有源区上表面延伸，绝缘衬垫层在隔开栅极结构和位线接触结构的同时也隔开了横跨同一有源区的相邻栅极结构，减小了相邻栅极结构的相互影响，减轻存储器产生漏洞的风险。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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