[发明专利]一种基于LPCVD二次离子注入制备钝化接触结构的方法有效
| 申请号： | 201911225719.4 | 申请日： | 2019-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN110983289B | 公开（公告）日： | 2022-06-28 |
| 发明（设计）人： | 林建伟;陈嘉;崔义乾;乔振聪 | 申请（专利权）人： | 江苏杰太光电技术有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/02 | 分类号： | C23C16/02;C23C16/44;C30B25/00;C30B31/22;C30B33/02;C30B29/06;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京集智东方知识产权代理有限公司 11578 | 代理人： | 吴倩 |
| 地址： | 225500 江苏省泰州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供的一种基于LPCVD二次离子注入制备钝化接触结构的方法，能够很好地解决管式LPCVD离子注入法制备重掺杂的多晶硅层遇到的问题，即提高表面离子浓度的同时不可避免的导致扩散穿过隧穿氧化层的离子增多的问题，可提高多晶硅的表面离子浓度，提高电导率，减小接触电阻，从而提高电池填充因子；减小扩散穿过隧穿氧化层的离子，减少俄歇复合，提高该结构的钝化效果，提高开路电压和短路电流；工艺过程成熟，采用已有设备二次工艺即可完成。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 lpcvd 二次 离子 注入 制备 钝化 接触 结构 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏杰太光电技术有限公司，未经江苏杰太光电技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911225719.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
