[发明专利]垂直自旋转移矩MRAM存储器单元

摘要

本发明题为“垂直自旋转移矩MRAM存储器单元”。本发明公开了一种垂直自旋转移矩MRAM存储器单元，其包括磁隧道结，该磁隧道结包括自由层、钉扎层以及自由层和钉扎层之间的隧道势垒。自由层包括垂直于自由层的平面的可切换磁化方向。邻近磁隧道结提供覆盖层。增加覆盖层的厚度，使得覆盖层用作加热层，这导致写入期间电流密度降低并增加了写入裕量。在一些实施方案中，电阻加热层被添加至存储器单元、邻近覆盖层，以实现较低的电流密度和增加的写入裕量，同时还通过消除散粒噪声来改善读取期间的信噪比。