[发明专利]具有选择器电压补偿的磁性随机存取存储器在审
| 申请号： | 201911225752.7 | 申请日： | 2019-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN111599393A | 公开（公告）日： | 2020-08-28 |
| 发明（设计）人： | C.J.佩蒂;T-Y.刘;A.阿尔-沙马;Y.铉 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明题为“具有选择器电压补偿的磁性随机存取存储器。”本文提供了磁性随机存取存储器(MRAM)电路。在一个示例性具体实施中，MRAM电路包括耦合到与选择器元件串联的磁性隧道结(MTJ)元件的控制电路。所述控制电路被配置为当所述选择器元件处于导电状态下时调节通过所述选择器元件的电流。所述电路还包括补偿电路，所述补偿电路被配置为基于对通过所述选择器元件的电流的调节来补偿处于所述导电状态下的所述选择器元件上的偏置电压。输出电路也被配置为报告MTJ元件的磁化状态。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 选择器 电压 补偿 磁性 随机存取存储器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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