[发明专利]晶体生长装置以及坩埚在审
| 申请号： | 201911227890.9 | 申请日： | 2019-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN111286785A | 公开（公告）日： | 2020-06-16 |
| 发明（设计）人： | 金田一麟平;奥野好成;庄内智博 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/02 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 刘航;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种晶体生长装置，具备坩埚和加热部，所述坩埚具有主体部和辐射率与所述主体部的辐射率不同的第1部分，且在加热时能够将内部的特定区域的温度控制成比其它区域的温度高的温度或低的温度，所述加热部位于所述坩埚的外侧，且利用辐射热来加热所述坩埚，所述第1部分位于所述坩埚与将所述加热部的加热中心和所述特定区域连结的线段交叉的位置。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体生长 装置 以及 坩埚 | ||
【主权项】：
暂无信息
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