[发明专利]一种低温等离子体干法刻蚀方法及其应用有效
| 申请号： | 201911229068.6 | 申请日： | 2019-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN111129955B | 公开（公告）日： | 2021-05-18 |
| 发明（设计）人： | 武艳青 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01S5/22 | 分类号： | H01S5/22;H01S5/30 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 郝晓红 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明涉及微加工刻蚀技术领域，尤其涉及一种低温等离子体干法刻蚀方法及其应用。该方法将完成光刻工艺后的脊型结构在ICP设备中进行干法刻蚀，刻蚀分四步，分别为刻蚀前去除残胶底膜、介质层上部干法刻蚀、介质层下部干法刻蚀、去除残胶以及聚合物。该刻蚀方法可以保持介质垂直刻蚀形貌并减小窗口基底受到的离子轰击，减小基底晶格损伤，从而提高载流子迁移率，减小器件的欧姆接触电阻率，该方法可应用于脊波导半导体激光器P型欧姆接触窗口的刻蚀。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低温 等离子体 刻蚀 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
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