[发明专利]高电导率硅氧负极材料及其应用在审
| 申请号： | 201911230649.1 | 申请日： | 2019-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN111048756A | 公开（公告）日： | 2020-04-21 |
| 发明（设计）人： | 陈青华;房冰;胡盼;刘江平 | 申请（专利权）人： | 兰溪致德新能源材料有限公司 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;H01M4/48;H01M4/62;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 北京久诚知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11542 | 代理人： | 余罡 |
| 地址： | 321100 浙江省金华市兰*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种高电导率硅氧负极材料，包括硅基内核和在所述硅基内核表面形成的包覆层，所述包覆层包括碳和快离子导体，所述快离子导体在包覆层形成完整离子传输通道，直接连接所述硅基内核并延伸至所述包覆层表面。快离子导体在包覆层形成完整的离子通道，可使所述硅氧负极材料兼顾电子电导率和离子电导率，同时稳定SEI膜，有效提高材料容量和电化学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 电导率 负极 材料 及其 应用 | ||
【主权项】：
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