[发明专利]肖特基二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 201911231347.6 | 申请日： | 2019-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN111128746B | 公开（公告）日： | 2022-06-07 |
| 发明（设计）人： | 王元刚;吕元杰;冯志红;刘红宇;宋旭波;周幸叶;谭鑫;韩婷婷;梁士雄 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L21/34 | 分类号： | H01L21/34;H01L29/06;H01L29/417;H01L29/872 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 付晓娣 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体领域，特别涉及一种肖特基二极管及其制备方法。该方法包括：在衬底上外延n型氧化镓层；在所述n型氧化镓层制备金属掩膜层；在所述金属掩膜层上制备光刻胶并形成多个第二图形窗口，刻蚀形成凹槽结构；去除光刻胶，并对器件正面进行高温退火处理，形成多个带有凹槽结构的热氧化区；制备正面的阳极金属层和背面的阴极金属层；其中，所述阳极金属层的边缘位于最外侧的金属掩膜层上，且阳极金属层和金属掩膜层正所涵盖的区域下方包括至少一个带有凹槽结构的热氧化区。上述方法可以使阳极金属层和带有凹槽结构的热氧化区完全对齐，优化阳极结处电场，提高器件的耐高压特性并兼顾导通特性。 | ||
| 搜索关键词： | 肖特基 二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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