[发明专利]辐射环境下双极型晶体管正向电流增益退化模型的构建方法有效
| 申请号： | 201911233071.5 | 申请日： | 2019-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN111046546B | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 孙亚宾;王昌锋;田明;李小进;石艳玲;廖端泉;曹永峰 | 申请（专利权）人： | 华东师范大学;上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20;H01L29/73 |
| 代理公司： | 上海蓝迪专利商标事务所(普通合伙) 31215 | 代理人： | 徐筱梅;张翔 |
| 地址： | 200241 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种辐射环境下双极型晶体管正向电流增益退化模型的构建方法，该方法包括：a）基于大注入条件发射极电流得到由发射区注入至基区的少数载流子浓度n |
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| 搜索关键词： | 辐射 环境 下双极型 晶体管 正向 电流 增益 退化 模型 构建 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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