[发明专利]磁性隧道结结构及其应用的磁性随机存储器在审
申请号: | 201911233601.6 | 申请日: | 2019-12-05 |
公开(公告)号: | CN112928202A | 公开(公告)日: | 2021-06-08 |
发明(设计)人: | 张云森;郭一民;陈峻;肖荣福 | 申请(专利权)人: | 上海磁宇信息科技有限公司 |
主分类号: | H01L43/08 | 分类号: | H01L43/08;H01L27/22 |
代理公司: | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人: | 于晓菁 |
地址: | 201815 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本申请提供一种磁性隧道结结构及磁性随机存储器,所述磁性隧道结结构包括三亚层的多层材料结构形成的覆盖层。本申请通过多层覆盖层结构设计及其工艺,增加来源于覆盖层与自由层界面效应的自由层磁垂直各向异性,并可在结电阻面积积缩小的前提下,保持相对较高的隧穿磁阻率,同时避免覆盖层在沉积或/和退火工艺中,被沉积的金属损伤自由层/底部覆盖层的界面而导致的磁垂直各向异性减弱的风险,以保持热稳定性。 | ||
搜索关键词: | 磁性 隧道 结构 及其 应用 随机 存储器 | ||
【主权项】:
暂无信息
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