[发明专利]一种金属硅化物的形成方法在审
| 申请号： | 201911235786.4 | 申请日： | 2019-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN110911280A | 公开（公告）日： | 2020-03-24 |
| 发明（设计）人： | 曹启鹏;陈宏;王卉 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/285;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供的一种金属硅化物的形成方法，包括以下步骤：提供一半导体衬底，半导体衬底上形成有天然氧化膜；刻蚀去除天然氧化膜，并刻蚀停止在半导体衬底上，刻蚀时间为刻蚀了厚度c的天然氧化膜所需要的时间，厚度c满足公式：c＝a+b，其中，a为天然氧化膜的膜厚，b为变量；在半导体衬底上形成金属膜层和添加剂膜层，并执行第一次热退火工艺，以形成初始金属硅化物；去除未形成初始金属硅化物的金属膜层和添加剂膜层；以及执行第二次热退火工艺。本发明通过调整刻蚀去除天然氧化膜的时间，来降低刻蚀中形成的不连续的硅化物缺陷的数量，以提高金属硅化物的电阻均一性，从而提高后续所形成器件的品质，还可以调整形成金属硅化物所在区域的阻值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属硅 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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