[发明专利]一种半导体器件纳米线及其制备方法在审
| 申请号： | 201911236867.6 | 申请日： | 2019-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN110896027A | 公开（公告）日： | 2020-03-20 |
| 发明（设计）人： | 王桂磊;亨利·H·阿达姆松;孔真真;李俊杰;李俊峰;殷华湘;王文武 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336;H01L29/423;H01L29/78;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京知迪知识产权代理有限公司 11628 | 代理人： | 王胜利 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件纳米线的制备方法，包括以下步骤：提供半导体衬底；在半导体衬底中形成浅沟道隔离区，浅沟道隔离区之间的半导体衬底为体硅鳍结构；选择性去除体硅鳍结构，使体硅鳍结构凹进以形成凹槽；在凹槽处沿半导体衬底表面垂直方向交替堆叠生长具有刻蚀选择性的多种外延层并进行表面平坦化；使浅沟道隔离区凹进以使交替堆叠生长的多种外延层突出于两侧的浅沟道隔离区；选择性刻蚀其中的一种或几种外延层，保留的外延层构成纳米线结构。还提供一种半导体器件纳米线。本发明通过在半导体衬底上交替堆叠生长不同材料的异质薄膜，减少薄膜中的缺陷，制备高质量纳米线结构，有利于不同类型的高迁移率材料导入和集成，提高器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 纳米 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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