[发明专利]一种仿真方法有效
| 申请号： | 201911236937.8 | 申请日： | 2019-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN110765708B | 公开（公告）日： | 2023-05-23 |
| 发明（设计）人： | 王正楠 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/30 | 分类号： | G06F30/30;G06F119/10 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种仿真方法，通过在原有的结型场效应管仿真模型基础上增加噪声生成电路，用于模拟所述结型场效应管的噪声。可以完善所述结型场效应管仿真模型在高压偏置条件下的噪声特性，为设计人员提供了可靠的仿真模型。通过屏蔽原有的结型场效应管仿真模型中的寄生电阻的参数，然后在结型场效应管的源端和漏端设置带电压修正系数的寄生电阻，然后分别在所述第六电阻和所述第七电阻上并联设置热噪声信号源，并且在结型场效应管的源端和漏端设置并联的闪烁噪声信号源，从而完善了结型场效应管在高压电压偏置条件下的噪声特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 仿真 方法 | ||
【主权项】：
1.一种仿真方法，用于在SPICE仿真系统中建立结型场效应管的仿真模型，其特征在于，包括：/nS1：获取所述结型场效应管的仿真模型，所述仿真模型包括第一电容、第二电容、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第一电流源以及噪声生成电路，所述第一电容用于模拟所述结型场效应管的栅端到源端的寄生电容，所述第二电容用于模拟所述结型场效应管的栅端到漏端的寄生电容，所述第一电阻用于模拟所述结型场效应管的源端的寄生电阻，所述第二电阻用于模拟所述结型场效应管的漏端的寄生电阻，所述第三电阻用于模拟所述结型场效应管的栅端到源端的交流电导，所述第四电阻用于模拟所述结型场效应管的栅端到漏端的交流电导，所述第五电阻用于模拟所述结型场效应管的电导，所述第一电流源用于模拟所述结型场效应管的跨导，所述噪声生成电路用于模拟所述结型场效应管的噪声；/nS2：获取所述结型场效应管的仿真参数；/nS3：基于所述仿真模型和所述仿真参数进行SPICE仿真。/n
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