[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201911237096.2 | 申请日： | 2019-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN111293095A | 公开（公告）日： | 2020-06-16 |
| 发明（设计）人： | 岩崎真悟;畑佐启太;高萩智 | 申请（专利权）人： | 株式会社电装 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 郎伊琳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置，其具备：第一部件；第二部件，其经由第一焊料层与第一部件的第一区域接合；以及第三部件，其经由第二焊料层与第一部件的第二区域接合。第一区域和第二区域位于第一部件的一侧。第一焊料层中含有由熔点高于第一焊料层的材料构成的多个支撑颗粒，第二焊料层中不含有上述支撑颗粒。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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