[发明专利]精准控制金属下沉的设备有效
| 申请号： | 201911238198.6 | 申请日： | 2019-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN111106040B | 公开（公告）日： | 2022-06-10 |
| 发明（设计）人： | 陈智广;李立中;吴淑芳;黄光伟;马跃辉;庄永淳;吴靖;陈东仰;郑育新;林伟铭 | 申请（专利权）人： | 福建省福联集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;G01R31/00 |
| 代理公司： | 福州市景弘专利代理事务所(普通合伙) 35219 | 代理人： | 徐剑兵;张忠波 |
| 地址： | 351117 福建省莆*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种精准控制金属下沉的设备，包括：支撑架、加热装置、探针、和电性监控量测控制模块，所述支撑架设置在所述加热装置上，所述支撑架用于承接晶圆，所述热板加热控制单元控制连接于所述热板，所述探针具有三个针脚，分别为S端、D端和G端，所述电性监控量测控制模块控制连接于所述探针，所述S端用于接地，所述电性监控量测控制模块用于在所述D端输出固定电压偏置，所述电性监控量测控制模块用于在所述G端输出固定偏压装置。本发明通过实时监控电流，以在线电流的指标作为回火终点，实现回火过程中对金属下沉的精准控制，提升产品的性能，避免发现电性失效的周期长。 | ||
| 搜索关键词： | 精准 控制 金属 下沉 设备 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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