[发明专利]一种退火掺杂实现常关型HEMT器件的方法在审
| 申请号： | 201911238442.9 | 申请日： | 2019-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN111128722A | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 李国强;万利军;孙佩椰;阙显沣;姚书南 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L21/335;H01L29/778 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 何淑珍;江裕强 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种退火掺杂实现常关型HEMT器件的方法。该方法为：在真空气氛下，采用激光扫描镁栅条，通过激光实现镁栅条在AlGaN材料中的热掺杂，实现常关型HEMT器件性能；本发明所实现的掺杂时间短，掺杂浓度及深度间接可控，而且对沟道二维电子气的影响小。本发明是一种快速的掺杂来实现常关型HEMT器件的方法，对于实现高性能的常关型HEMT器件有重要意义。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 退火 掺杂 实现 常关型 hemt 器件 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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