[发明专利]一种热电应力下的Flash存储器擦写性能评价方法有效
| 申请号： | 201911239186.5 | 申请日： | 2019-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN111009281B | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 黄姣英;张雨琪;高成;鹿靖 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | G11C29/56 | 分类号： | G11C29/56 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100191*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种热电应力下的Flash存储器擦写性能评价方法，步骤如下：一：Flash存储器初筛，对器件样品做一次全片擦写读测试，剔除已失效的器件；二：选择擦写测试算法，选择试验温度分组，模拟不同强度的环境应力；三：进行擦写循环试验，记录各温度组的读出数据错误数量，器件全部失效或到达预设试验时间试验停止；四：筛选试验数据，计算各温度组的平均无故障工作时间θ；五：计算环境温度与该温度平均无故障工作时间函数关系；六：求出常温下平均无故障工作时间；七：根据擦写循环试验中，单次循环所用时间和擦写次数，计算常温下耐擦写次数；八：与该型号器件理论耐擦写次数比较，评价该批次器件擦写性能是否满足要求；通过以上步骤，可以利用擦写次数评价Flash存储器的擦写性能，减少试验时间，为Flash存储器测试与评价提供充分的可靠性依据，具有实际推广应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 热电 应力 flash 存储器 擦写 性能 评价 方法 | ||
【主权项】：
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