[发明专利]一种针对28nm的三路全隔离的三模冗余的抗辐照电路在审
| 申请号： | 201911239238.9 | 申请日： | 2019-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN111147063A | 公开（公告）日： | 2020-05-12 |
| 发明（设计）人： | 赵金薇;黄高中;徐烈伟;俞军 | 申请（专利权）人： | 上海复旦微电子集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/003 | 分类号： | H03K19/003 |
| 代理公司： | 中国和平利用军工技术协会专利中心 11215 | 代理人： | 刘光德;彭霜 |
| 地址： | 200438 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供了一种针对28nm的三路全隔离的三模冗余的抗辐照电路，涉及抗辐照电路技术领域，能够实现单粒子翻转，单粒子多比特翻转加固与面积损耗最小。所述电路包括：本征电路、延时路1和延时路2，本征电路包括组合逻辑，组合逻辑一端输入数据，另一端与寄存器1的一端连接，寄存器1的另一端连接大数据判决器的一端，大数据判决器的另一端输出数据；延时路1包括：deglitch1，deglitch1的一端连接组合逻辑的另一端，deglitch1的另一端连接寄存器2的一端，寄存器2的另一端连接大数据判决器的一端；延时路2包括：deglitch2，所述deglitch2的一端连接组合逻辑的另一端，deglitch2的另一端连接寄存器3，寄存器3的另一端连接大数据判决器的一端。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 针对 28 nm 三路全 隔离 冗余 辐照 电路 | ||
【主权项】：
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