[发明专利]一种肖特基二极管及其制备方法在审
申请号: | 201911240252.0 | 申请日: | 2019-12-06 |
公开(公告)号: | CN111048596A | 公开(公告)日: | 2020-04-21 |
发明(设计)人: | 张佰君;姚婉青;柳月波 | 申请(专利权)人: | 中山大学 |
主分类号: | H01L29/872 | 分类号: | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329 |
代理公司: | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人: | 杨媛媛 |
地址: | 510275 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种肖特基二极管及其制备方法。肖特基二极管包括:基底层、第一凸体、第二凸体和空气桥;第一凸体和第二凸体均设置在基底层上,第一凸体和第二凸体通过空气桥连接。第一凸体和第二凸体均设置多层二维电子气层,使二极管纵向范围内二维电子气厚度增加,增大了二极管纵向范围内电子浓度,突破了单沟道二维电子气厚度的限制,使得横向的电子流驱动增强,有效的减小了沟道电阻,提高了肖特基二极管截止频率。该肖特基二极管还在肖特基接触金属蒸镀的位置刻蚀贯通腔体,贯通腔体使得肖特基接触金属与所有沟道层的二维电子气相连,使得电流可以不用通过势垒层,减小了势垒层电阻,使器件串联电阻减小,能够获得更高的截止频率。 | ||
搜索关键词: | 一种 肖特基 二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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