[发明专利]一种改善电容耐压性的方法在审
| 申请号： | 201911240661.0 | 申请日： | 2019-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN112928207A | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 仝刚;王向春;刘波;於想 | 申请（专利权）人： | 和舰芯片制造（苏州）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 | 代理人： | 杨帆 |
| 地址： | 215025 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种改善电容耐压性的方法，所述方法包括四个步骤：步骤一：将电容方形上极板的边角从直角修正为圆弧角；步骤二：通过金属蚀刻和介电质蚀刻两步对所述上极板进行蚀刻；步骤三：在所述上极板上沉积氧化物间隔层；步骤四，对介电质层进行整体蚀刻。通过该方法，使得金属介电质金属电容的耐压性得到了有效提升。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 电容 耐压性 方法 | ||
【主权项】：
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