[发明专利]波导集成雪崩光电二极管有效
| 申请号： | 201911241096.X | 申请日： | 2019-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN110880539B | 公开（公告）日： | 2021-09-24 |
| 发明（设计）人： | 黄梦园;苏宗一;邱德煌;李左玺;洪菁吟;潘栋 | 申请（专利权）人： | 希烽光电科技（南京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0232 | 分类号： | H01L31/0232;H01L31/107 |
| 代理公司： | 北京京万通知识产权代理有限公司 11440 | 代理人： | 许天易 |
| 地址： | 210043 江苏省南京市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了单片雪崩光电二极管(APD)的各种实施例，其可以被制造在绝缘体上硅衬底上。单片APD包括将入射光引导到APD的有源区域的光波导。光耦合器与光波导一体形成以捕获入射光。单片APD还包括光反射器，以将不容易被光耦合器捕获的入射光的一部分反射到光耦合器以进一步捕获。有源区域包括用于将入射光转换成电子‑空穴对的吸收层、用于通过雪崩倍增将电子‑空穴对放大成光电流的外延结构、以及用于传导光电流的一对电导体。 | ||
| 搜索关键词： | 波导 集成 雪崩 光电二极管 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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