[发明专利]高电子迁移率晶体管及其制作方法在审
| 申请号： | 201911241221.7 | 申请日： | 2019-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN112928161A | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 陈柏荣;黄哲弘;张峻铭;徐仪珊;叶治东;黄信川;廖文荣;侯俊良 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种高电子迁移率晶体管及其制作方法，其中该制作高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)的方法为，首先形成一第一阻障层于一基底上，然后形成一P型半导体层于该第一阻障层上，形成一硬掩模于该P型半导体层上，图案化该硬掩模以及该P型半导体层，再形成一间隙壁于该硬掩模以及该P型半导体层旁。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 迁移率 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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