[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201911241298.4 | 申请日： | 2019-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN112928023B | 公开（公告）日： | 2023-07-18 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/06;H01L29/08;H01L29/36;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，包括：提供衬底，衬底上具有鳍部结构，鳍部结构包括若干层依次重叠的第一鳍部层与第二鳍部层；在衬底上形成横跨鳍部结构的伪栅极结构；在伪栅极结构两侧的鳍部结构内形成凹槽；去除凹槽侧壁的部分第一鳍部层，形成第一修正鳍部层、第一鳍部凹槽和第二鳍部凹槽；形成位于第一鳍部凹槽内的第一阻挡层、以及位于第二鳍部凹槽内的第二阻挡层，第一阻挡层的厚度大于第二阻挡层的厚度；在凹槽内形成第一源漏掺杂层与第二源漏掺杂层。通过增大第一阻挡层的厚度，能够有效的提升第一源漏掺杂层与形成的栅极结构之间的隔离效果，减小了第一源漏掺杂层与栅极结构之间的寄生电容，进而提升了最终形成的半导体结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
