[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201911241615.2 | 申请日： | 2019-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN111293170A | 公开（公告）日： | 2020-06-16 |
| 发明（设计）人： | 斯特凡·伯格伦德;斯特芬·霍兰 | 申请（专利权）人： | 安世有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/732 | 分类号： | H01L29/732;H01L29/08;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 张娜;李荣胜 |
| 地址： | 荷兰*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种双极晶体管半导体装置，包括：衬底层；由衬底层支撑的集电极外延层；由集电极外延层的一部分支撑的基极区域；以及由基极区域的一部分支撑的发射极区域，其中，发射极区域包括多晶硅材料。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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