[发明专利]一种日盲紫外探测器及其制备方法在审
申请号: | 201911241730.X | 申请日: | 2019-12-06 |
公开(公告)号: | CN110931576A | 公开(公告)日: | 2020-03-27 |
发明(设计)人: | 刘可为;王丽嫣;陈星;申德振;张振中;李炳辉 | 申请(专利权)人: | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
主分类号: | H01L31/0232 | 分类号: | H01L31/0232;H01L31/09;H01L31/18 |
代理公司: | 深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙) 44316 | 代理人: | 曹卫良 |
地址: | 130033 吉林省长春*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | 本发明提供了一种日盲紫外探测器,包括衬底、设置于衬底表面的MgZnO薄膜、均布在所述MgZnO薄膜表面的金属纳米阵列,以及设置在所述MgZnO薄膜表面的叉指电极;所述金属纳米阵列中所有金属纳米粒子的粒径相同、相邻两个金属纳米粒子的间距相同。本发明还提供了一种日盲紫外探测器的制备方法,通过等离子体增强分子束外延法在衬底表面上沉积MgZnO薄膜,并采用聚苯乙烯微球刻印技术在MgZnO薄膜表面形成金属纳米阵列。本发明的日盲紫外探测器在紫外乃至深紫外波段对光的吸收强,在其他波段对光的吸收弱,能选择特定波长增强吸收,体现出良好的波长选择性,具有更高的光响应度、探测率以及灵敏度。 | ||
搜索关键词: | 一种 紫外 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的