[发明专利]通过过渡层结构降低封装应力的MEMS惯性器件有效
| 申请号： | 201911241743.7 | 申请日： | 2019-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN111115551B | 公开（公告）日： | 2023-08-04 |
| 发明（设计）人： | 段杰;成宇翔;赵万良;李绍良;张嘉轩 | 申请（专利权）人： | 上海航天控制技术研究所 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B81B7/02 |
| 代理公司： | 上海元好知识产权代理有限公司 31323 | 代理人： | 贾慧琴;周乃鑫 |
| 地址： | 201109 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种通过过渡层结构降低封装应力的MEMS惯性器件，所述的MEMS惯性器件包含：封装管壳、位于封装管壳内的芯片、以及设于所述封装管壳的底板与所述的芯片之间的过渡层；所述的过渡层包含若干片层，所述的片层包含：贴片胶层和应力缓冲层；所述的应力缓冲层的材质与所述的封装管壳或所述的芯片的材质相同。本发明通过对过渡层进行结构设计，在过渡层中设计应力缓冲区，应力缓冲层的材质与封装管壳或芯片的材质相同，有利于降低封装应力。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 过渡 结构 降低 封装 应力 mems 惯性 器件 | ||
【主权项】：
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