[发明专利]在金属栅极线端中具有T形的器件和制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201911241779.5 | 申请日： | 2015-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN110911275B | 公开（公告）日： | 2023-01-06 |
| 发明（设计）人： | 林健智;叶建宏;沈冠杰;张嘉德 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336;H01L21/311;H01L21/3213;H01L27/088;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了在半导体器件中制造金属栅极结构的方法。该方法包括：去除伪多晶硅栅极，使用干蚀刻工艺和湿横向蚀刻工艺去除IL氧化物和STI以在半导体器件中形成T形空隙，以及在T形空隙中沉积金属栅极材料以在金属栅极线端中形成T形结构。本发明公开了由包括伪多晶硅栅极的去除的工艺制造的半导体器件。该半导体器件包括OD鳍以及在OD鳍的部分之上制造并且邻近OD鳍的侧部的金属栅极。金属栅极在金属栅极线端中具有T形结构。通过使用干蚀刻工艺和湿横向蚀刻工艺去除IL氧化物和STI以形成T形空隙来形成T形结构。本发明还涉及在金属栅极线端中具有T形的器件和制造半导体器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 栅极 线端中 具有 器件 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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