[发明专利]一种水滑石原位生长复合膜及其制备方法与应用在审
| 申请号： | 201911242327.9 | 申请日： | 2019-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN112928322A | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 袁治章;李先锋;胡静;张华民 | 申请（专利权）人： | 中国科学院大连化学物理研究所 |
| 主分类号： | H01M8/18 | 分类号： | H01M8/18;H01M8/0239;H01M8/0241 |
| 代理公司： | 北京元周律知识产权代理有限公司 11540 | 代理人： | 张莹;刘洁 |
| 地址： | 116023 *** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种水滑石原位生长复合膜及其制备方法与应用，属于碱性和中性基二次电池领域。所述水滑石原位生长复合膜包括离子传导膜基底和原位生长在所述离子传导膜上的水滑石层。通过有效控制水滑石合成条件及界面相互作用，可有效控制合成的水滑石层的分布均匀性，实现多孔离子传导膜精确地尺寸筛分和高效的离子传导性。此外，原位生长水滑石膜具有超强的耐碱稳定性和机械性能，实现了一类高性能、长寿命的碱性锌基液流电池，展现了良好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 滑石 原位 生长 复合 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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